T520A106M010ATE080 T520A107M004ATE150 T520A107M004ATE200 T520A107M006ATE070 T520A107M006ATE100 T520A107M006ATE150 T520A156M010ATE080 T520A226M006ATE090 T520A226M006ATE100 T520A226M010ATE080 T520A336M004ATE070 T520A336M004ATE080 T520A336M006ATE070 T520A336M006ATE080 T520A336M006ATE120 T520A476M004ATE070 T520A476M004ATE080 T520A476M006ATE150 T520A476M2R5ATE090 T520A686M006ATE150 T520A686M2R5ATE070 T520A686M2R5ATE080 T520B106M016ATE100 T520B107M003ATE025 0鉭粉的純度、電介質的厚度、片狀鉭電容密封材料以及MnO2層的平坦度等片狀鉭電容制造工藝方面的缺陷，并不意味著片狀鉭電容在使用中就會失效，而是它承受功率的能力相對較低，當片狀鉭電容受到浪涌電流沖擊或高溫工作時，失效的可能性就會增大。 片狀鉭電容的一個重要特性就是“白愈”功能。固體片狀鉭電容受到高電流、高電壓等破壞因素沖擊時，并非就損壞，這是因為固體片狀鉭電容在高阻抗電路中暫時的擊穿可以“自愈”。假設在片狀鉭電容的陽極區域有一個電介質較薄的位置，片狀鉭電容的大部分電流(充放電電流、漏電流等)將流過這個位置，下圖所示，這個位置將被加熱，如果溫度上升到400-500℃之間，將會發生如下化學反應：4MnO2=2Mn2O3+O2 導電性良好的MnO2化學反應后轉變為導電性差的Mn2O3， 缺陷位置由導電物料MnO2轉換為不導電物料Mn2O3后，流過這個位置的電流將大大的減小，這個缺陷點被有效的“plugged(彌補)”，片狀鉭電容又可以正常工作了。