用于測量各種高壓電力設(shè)備的介質(zhì)損耗（tgδ）及電容量（Cx）。替代QSI型電橋。 主要特點：內(nèi)附PT和高壓標(biāo)準(zhǔn)電容使接線簡單。 采用光電耦合數(shù)據(jù)采樣測試原理，將矢量運算與移相、倒相法相結(jié)合，能強力有效地消除電場干擾。現(xiàn)場適用和適應(yīng)能力*強*好。在同類型產(chǎn)品中，性能*好，價格*實在。 主要技術(shù)指標(biāo)： 高壓輸出：2kV、5kV、10kV PT容量：1kVA 量程：tgδ＜50% 30pF＜Cx＜60000pF 介損測量范圍：0.1 ～100% 分辨率：tgδ:0.01% Cx:0.1pF 準(zhǔn)確度：tgδ2%±0.05% 電容C1% ####誤差： tgδ0.03%