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　　電力設(shè)備板塊受益于1-7月電網(wǎng)投資特別是特高壓投資的高速增長，在近持續(xù)跑贏大盤。在全年目標(biāo)沒有變化的情況下，下半年投資增速放緩是既定的事實，但是在結(jié)構(gòu)上將流向上半年低于預(yù)期的配網(wǎng)。另外，風(fēng)電行業(yè)拐點來臨，低壓電器行業(yè)受益地產(chǎn)復(fù)蘇和原材料下跌，同樣值得關(guān)注。

　　明年或迎來配網(wǎng)投資高峰。今年1-7月，電網(wǎng)投資同比增長17，達1947元，如此高的增速主要得益于上半年特高壓的集中交貨。我們認(rèn)為，下半年超過兩位數(shù)的高速增長不可能維持，投資結(jié)構(gòu)也將維持。但是，我們預(yù)期明年配網(wǎng)投資將迎來高峰，投資占比將大幅上升，利好配網(wǎng)設(shè)備企業(yè)。

　　配網(wǎng)自動化建設(shè)將迎來高峰。國務(wù)院常務(wù)會將加快配電網(wǎng)和智能電網(wǎng)建設(shè)定為今后工作的重點，過去幾年經(jīng)過配網(wǎng)自動化試點、示范工程，配網(wǎng)自動化的技術(shù)方案逐步成熟，有在全國范圍內(nèi)加快推廣的可能，未來配電自動化投資有望繼續(xù)快速增長。國網(wǎng)規(guī)劃到2015年之前，其配網(wǎng)自動化投資就將達400億，而過去每年的投資僅20-30億，市場具備成倍增長的想象空間。

　　風(fēng)電行業(yè)迎來轉(zhuǎn)折點。我國風(fēng)電行業(yè)在過去幾年經(jīng)歷了大躍進式的發(fā)展，造成了并網(wǎng)難、事故頻發(fā)等后果，行業(yè)在11和12年步入了低谷。但是12年底和13年出現(xiàn)的幾個跡象讓我們判斷風(fēng)電行業(yè)已經(jīng)觸底，包括吊裝量企穩(wěn)、招標(biāo)量翻倍、消納好轉(zhuǎn)、風(fēng)機價格回升等。行業(yè)未來幾年將迎來穩(wěn)健成長。

　　低壓電器行業(yè)受益房地產(chǎn)復(fù)蘇和金屬下跌。房地產(chǎn)行業(yè)的開工面積在13年上半年重回正增長，竣工面積也維持了穩(wěn)定的增速，利好低壓電器行業(yè)需求。

　　1-8月主要原材料銅價和銀價大幅下跌，美國退出QE的預(yù)期將持續(xù)壓低原材料價格，預(yù)計下半年價格仍然疲弱，利好低壓電器行業(yè)的毛利率。

　　我國政府已經(jīng)制定了在十二五期間高壓開關(guān)行業(yè)的發(fā)展規(guī)劃，其中重點提到了加強開關(guān)智能化的研制工作，其技術(shù)發(fā)展也與電器元件的智能化惜惜相關(guān)。

　　十二五時期，我國高壓開關(guān)行業(yè)應(yīng)以堅強智能電網(wǎng)全面建設(shè)為契機，以特高壓交、直流輸電工程為依托，增強自主創(chuàng)新能力，大力提升開關(guān)設(shè)備智能化水平，推進環(huán)保、節(jié)能、減排設(shè)備；應(yīng)以特高壓輸電技術(shù)和先進電氣設(shè)備及集成技術(shù)為重點發(fā)展領(lǐng)域，深入開展1000kV特高壓輸電及關(guān)鍵設(shè)備、核心技術(shù)研究，加速交、直流高壓設(shè)備的完全國產(chǎn)化；并通過對先進電氣設(shè)備及集成技術(shù)的前期研究，力求在超導(dǎo)電力裝備關(guān)鍵技術(shù)有重點突破；努力促進產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)優(yōu)化、升級，進一步提升行業(yè)整體技術(shù)水平和國際競爭力，努力實現(xiàn)高壓開關(guān)行業(yè)由大到強的轉(zhuǎn)變。

　　目前，電氣產(chǎn)品的更新?lián)Q代非常頻繁，往往在短時間內(nèi)，就可以淘汰很多舊式的產(chǎn)品系列。在電器元件智能化的同時，高壓開關(guān)也不斷向智能化方向推進。目前在國際上處于地位的高壓開關(guān)柜產(chǎn)品具有脫扣回路斷線監(jiān)測、動作時間檢測、接觸部件檢測、彈簧的儲能時間檢測等功能，綜合這些功能就構(gòu)成了智能化高壓開關(guān)。

　　十二五期間，高壓開關(guān)行業(yè)大型骨干企業(yè)，進一步深入開展特高壓開關(guān)設(shè)備核心技術(shù)與關(guān)鍵部件的技術(shù)研究，實現(xiàn)特高壓裝備立足國內(nèi)、自主研發(fā)、全面實現(xiàn)國產(chǎn)化的目標(biāo)。結(jié)合智能電網(wǎng)、數(shù)字變電站、配網(wǎng)自動化等的建設(shè)，大力推進開關(guān)設(shè)備智能化。由于開關(guān)設(shè)備智能化技術(shù)尚屬行業(yè)的弱項，故建議先易后難地開發(fā)研制，如：先開發(fā)配網(wǎng)用智能斷路器，再研發(fā)配網(wǎng)智能化用開關(guān)柜，智能電網(wǎng)GIS、GCB及其他智能組件等，重點在開關(guān)一次設(shè)備和二次控制的整體融合與接口技術(shù)的研發(fā)。

　　半導(dǎo)體市場可望在2014年大發(fā)利市。新興市場對中**智慧型手機需求持續(xù)升溫，除激勵相關(guān)晶片開發(fā)商加緊研發(fā)更高性價比的解決方案外，亦掀動16/14奈米（nm）鰭式電晶體（FinFET）與三維（3D）快閃記憶體等新技術(shù)的投資熱潮，為明年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)挹注強勁成長動能。

　　應(yīng)用材料副總裁暨臺灣區(qū)總裁余定陸表示，單就出貨量而言，現(xiàn)今高價智慧型手機的成長力道確實已不如中**手機，促使手機品牌業(yè)者紛紛推出性價比更高的中**產(chǎn)品，希冀藉此搶攻中國大陸、俄羅斯、東南亞與中南美等新興市場，進而激勵半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場產(chǎn)值向上成長。

　　余定陸進一步指出，過去個人電腦盛行時，電腦銷售是以「戶」為單位，因此銷售成長有限；現(xiàn)今智慧型手機銷售則是以「人」為單位，成長力道自然相對更加強勁，并同時可創(chuàng)造出更多半導(dǎo)體生產(chǎn)、封裝與設(shè)計的需求。毫無疑問，智慧型手機目前正主導(dǎo)著半導(dǎo)體市場，特別是未來中**智慧型手機更是引燃2014年半導(dǎo)體市場商機熾熱的新火種。

　　隨著中**智慧型手機已成為手機品牌業(yè)者新的主戰(zhàn)場，各家業(yè)者須推出「高貴不貴」的新產(chǎn)品，才有機會在激烈的市場中脫穎而出，因此半導(dǎo)體晶圓代工、封裝業(yè)者也正戮力研發(fā)16/14奈米與3D快閃記憶體等技術(shù)，并進一步提升半導(dǎo)體設(shè)備與材料效能，協(xié)助晶片商打造高效能的中**智慧型手機方案。

　　事實上，行動運算時代與過去個人電腦時代大的差異處，在于產(chǎn)品對耗電量的要求。以手機應(yīng)用處理器（AP）為例，其運作大約需要2瓦（W）電力，且溫度須維持?jǐn)z氏35度以下，才適合讓消費者握在手中；筆記型電腦的處理器運算能力雖然是應(yīng)用處理器的四倍，但需要50瓦電力，運作溫度則是80度，顯見半導(dǎo)體業(yè)者若要卡位行動裝置商機，勢必得減少電晶體耗電量。

　　余定陸補充，新一代16/14奈米FinFET與3D快閃記憶體將是改善電晶體效能的佳解決方案，并為半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)帶來更多商機；其中，16/14奈米FinFET將可為設(shè)備產(chǎn)業(yè)增加25～35市場規(guī)模，快閃記憶體也將因為制程技術(shù)從2D轉(zhuǎn)向3D而增加25～35市場規(guī)模。