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　　通態損耗包括開關器件導通時正向通態損耗及反并聯二極管續流時的續流損耗。開關器件瞬時功耗應為導通壓降與電流的乘積。與漏源電壓、門極電壓、通態電流、溫度等參數有關系。在廠家提供的器件參數中，大部分以曲線形式給出。

　　對于低壓大電流系統，MOSFET是較為適用的功率器件，低壓下導通壓降較小，開關頻率較高，易于驅動。所以針對MOSFET進行了分析，由于所作的分析具有普遍性，因此該分析也適用于其由他器件構成的電路。給出了不同溫度下，某型號MOSFET的內阻與溫度、電流的關系。

　　不同廠家所給出的MOSFET靜態參數有所不同。如通態電阻S0，通常規定，在確定的柵壓Vgs下，功率MSOFET由可調電阻區進入飽和區時的直流電阻為通態電阻，它是影響大輸出功率的重要參數。由圖中看出，可以將功率MOS的vS0、D0忽略為零。采用導通阻抗盡可能小的MOSFET和采用器件并聯方式可以減小通態損耗。但MOSFET并聯無法減小其內部寄生的反并聯二極管固定通態壓降，因此必須考慮調制方式對通態損耗的影響。