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凹槽不同部位的注入電流隨注入電壓的變化的規(guī)律不同，雖然整體規(guī)律都是隨施加電壓的提高而增加，但底部的電流有一小值。產(chǎn)生這一現(xiàn)象的原因主要是鞘層的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)不同所決定的。在低電壓時(shí)，鞘層圍繞在工件表面，此時(shí)注入是仿形注入，對(duì)底部、側(cè)面和頂部的注入都來(lái)源于鞘層內(nèi)的離子，由于底部與正對(duì)著弧源，等離子體中初始離子的運(yùn)動(dòng)速度垂直于底部，因此其注入電流要大于側(cè)面，但隨加速電壓的提高，鞘層的運(yùn)動(dòng)加快，在整個(gè)脈沖施加階段凹槽內(nèi)部等離子體鞘層要疊加，將導(dǎo)致終鞘層內(nèi)部無(wú)等離子體存在，結(jié)果使得注入電流降低。因此在kZV之前，注入電流是隨電壓的提高而減小的。
而對(duì)于側(cè)面由于鞘層的形狀有一定的彎曲，可以從圖3說(shuō)明這一點(diǎn)，將導(dǎo)致有部分離子產(chǎn)生注入，因此其注入電流大于底部，在外表面，由于等離子體密度本身很高，又無(wú)鞘層的重疊發(fā)生，因此其注入電流高。四槽內(nèi)外注入電流隨注入電壓變化情況。23凹植尺寸變化對(duì)注入均勻性的影響圖5為凹槽寬度W=30mm，凹槽深度變化時(shí)測(cè)得的凹槽底部的離子注入電流的變化情況。由此可以看出，在寬度不變情況下，增加深度將使注入電流的值降低。
深度變深后，凹槽底部的注入電流出現(xiàn)谷值的傾向減小。產(chǎn)生這一現(xiàn)象的原因，是凹槽底部的等離子體密度隨深度的增加減小，相應(yīng)地，鞘層的擴(kuò)展速度增加，并且導(dǎo)致鞘層疊加的程度增加，雖然正對(duì)弧源的離子數(shù)公相同，但離子在傳輸過(guò)程中，由于碰撞作用導(dǎo)致部分改變方向而注入側(cè)面，因此凹槽探度增加，注入電流降低。
