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　　半導體工藝的日益改進以及便攜式電子產品的發展，大大推動了電源管理芯片的發展。低壓差線性穩壓器作為其中重要的一員，以其轉換效率高、基金項目：國家高技術研究發展計劃項目（2009AA12Z314）體積小、噪聲低以及成本低等優點，被廣泛應用于便攜式電子產品中。傳統LO依靠輸出端外接電容的等效串聯電阻（ER）為系統補償一個左半平面零點，以保持系統穩定。

　　采用Cadne仿真工具進行仿真是整個系統環路在沒有輸出電流時的交流特性響應圖，由圖可以看出系統的相位裕度超過90°所以它有一個很好的穩定性。

　　mA寸的一個瞬態響應圖，一方面可以由圖看出瞬態過沖290 mY此值與傳統IDO的過沖值相比，還是有一定差距，所以減少瞬態過沖是無片外電容IDO設計的難點之一；另一方面還可以從仿真的響應曲線看出，當輸出電流從50mA到0mA再從0mA跳變到50mA寸，IDO輸出電壓的過沖幾乎都沒有振鈴現象，這也很好地說明整個環路的穩定性比較好。

　　（a）負載電流變化脈沖曲線（b>輸出電壓響應曲線3版圖設計與測試結果版圖設計作為電路系統與電路芯片制造兩者之間的一個橋梁，它設計的好壞直接影響芯片性能的好壞，甚至能導致芯片不能工作。本文設計的IDO線性穩壓器是以模擬器件為主的數模混合電路，設計時，為了減少電路的失調電壓，需要保證電路整體的良好匹配。設計誤差放大器的版圖時，要注意其差分輸入對管：為了保證Mi和M2兩管之間有一個很好的匹配特性，要采用四方交叉共質心畫法。因為誤差放大器是全差分對稱結構，在版圖設計規劃時，可以先畫一半，再采取調用的方法設計另外一半，以實現電路版圖良好的對稱性。電阻R和R使用PLY電阻，而且要求比較高的匹配精度，所以要將他們分成一定數目的小電阻串聯，然后小間距的交叉排列，后在兩側放置Dum>電阻，這樣就能實現良好的匹配。對于功率管的放置，因其可能是一個熱源，這就需要考慮其他對稱管要放在同一等溫線上。需要注意的是對所有的管子要增加襯底或阱接觸，尤其是功率管，因為其尺寸一般都很大，需要減小襯底電阻來防止閂鎖效應整個電路采用SMC0.18mCM0SC藝實現，電路系統整體版圖如所示，包括LO核心模塊、基準電壓模塊和過溫保護模塊。

　　電路版圖在室溫條件下，測得芯片在輸入電壓1. 66~3.0囔能正常工作。當輸入電壓為1.8V時，室溫條件下部分芯片測試結果如表1所示。

　　表1無片外電容LO的部分測試結果參數數值壓差/mV大輸出電流/mA輸出電壓/V負載調整率/靜態功耗WA芯片面積/mm2 4結論針對無片外電容io穩定性問題，采用了如中誤差放大器結構，結合密勒補償和一階等效RC補償這兩種補償方案設計出一款高穩定性無片外電容LDD它能在輸出電流0~50mA中穩定工作。本文設計的LD在輸入電壓為1.66~3.0V的范圍內，都能提供一個穩定的1.5V的輸出電壓，且不需要片外的大電容來進行補償，從而有效地減少了PCB的使用面積，降低了成本，為把ID全集成到WSNS片內部做出了一定的貢獻。