IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)簡介 

普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，集多種測量和分析功能一體，可以精準(zhǔn)測量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等）的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性、μΩ級J確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容，如輸入電容、輸出電容 、反向傳輸電容等。

普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)配置有多種測量單元模塊，模塊化的設(shè)計測試方法 靈活，方便用戶添加或升級測量模塊，適應(yīng)測量功率器件不斷變化的需求。功率器件分析儀igbt模塊測試設(shè)備認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六；

系統(tǒng)組成

普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，主要包括測試主機(jī)、測試線、測試夾具、電腦、上位機(jī)軟件，以及相關(guān)通訊、測試配件等構(gòu)成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開發(fā)的測試主機(jī)，內(nèi)置多種規(guī)格電壓、電流、電容測量單元模塊。結(jié)合專用上位機(jī)測試軟件，可根據(jù)測試項目需要，設(shè)置不同的電壓、電流等參數(shù)，以滿足不同測試需求。測試數(shù)據(jù)可保存與導(dǎo)出，并可生成I-V以及C-V特性曲線。此外，測試主機(jī)可與探針臺搭配使用，實現(xiàn)晶圓級芯片測試；也可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用，滿足高低溫測試需求。

測試主機(jī)內(nèi)部采用的電壓、電流測量單元，均采用多量程設(shè)計，測試精度為0.1%。其中，柵極-發(fā)射極，大支持30V@10A脈沖電流輸出與測試，可測試低至pA級漏電流；集電極-發(fā)射極，Z大支持6000A高速脈沖電流，典型上升時間為15μs，且具備電壓高速同步采樣功能；高支持3500V電壓輸出，且自帶漏電流測量功能。電容特性測試，包括輸入電容，輸出電容，以及反向傳輸電容測試，頻率高支持1MHz。

 

系統(tǒng)特點

高電壓：支持高達(dá)3.5KV高電壓測試（Z大擴(kuò)展至10kV）；
大電流：支持高達(dá)6KA大電流測試（多模塊并聯(lián)）；
高精度：支持uΩ級導(dǎo)通電阻、nA級漏電流測試；
豐富模板：內(nèi)置豐富的測試模板，方便用戶快速配置測試參數(shù)；
配置導(dǎo)出：支持一鍵導(dǎo)出參數(shù)配置及一鍵啟動測試功能；
數(shù)據(jù)預(yù)覽及導(dǎo)出：支持圖形界面以及表格展示測試結(jié)果，亦可一鍵導(dǎo)出；
模塊化設(shè)計：內(nèi)部采用模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計，可自由配置，方便維護(hù)；
可拓展：支持拓展溫控功能，方便監(jiān)控系統(tǒng)運(yùn)行溫度；
可定制開發(fā)：可根據(jù)用戶測試場景定制化開發(fā)；

測試項目
集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續(xù)流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等

測試夾具

針對市面上不同封裝類型的硅基功率半導(dǎo)體，IGBT、SiC、MOS、GaN等產(chǎn)品，普賽斯提供

整套測試夾具解決方案，可用于T0單管，半橋模組等產(chǎn)品的測試。

 

普賽斯儀表研究和開發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測試的智能裝備，產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU）的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、G效率測量和分析。如果您對功率器件分析儀igbt模塊測試設(shè)備感興趣，歡迎隨時聯(lián)系我們，詳詢一八一四零六六三四七六；