HCPL100特點和優勢：

50~500us的脈沖寬度連續可調；

15us的超快上升沿；

同步測量電壓；

單臺蕞大可達1000A輸出；

可極性反轉；

0.1%測試精度；詳詢一八一四零六六三四七六；

技術指標
電流脈寬  50μs~500μs
脈沖電流上升沿時間 典型時間15us
輸出脈沖電流 5 ~1000A量程，精度0.1%FS±1A
輸出負載電壓要求<12V@1000A
DUT電壓測量   2獨立通道
DUT電壓測量   遠端測量，峰值電壓測量（取樣點可配置）
DUT電壓測量   0~0.3V量程，精度0.1%±0.3mV

DUT電壓測量   0~3V量程，精度0.1%±3mV

DUT電壓測量   0~18V量程，精度0.1%±8mV
電流脈沖輸出間隔時間1秒
電流脈沖峰值功率<12kW
支持多設備并聯輸出超大電流，如3000A
支持輸出極性反轉
觸發信號 支持trigin及trig out
通訊接口 RS232
輸入電壓 90~264VAC、50/60Hz
輸入功率<750W
尺寸：長516x寬250x高160mm

應用領域

肖特基二極管

整流橋堆

IGBT器件

IGBT半橋模塊

IPM模塊

普賽斯儀表磚業研究和開發半導體材料與器件測試的磚業智能裝備，產品覆蓋半導體領域從晶圓到器件生產全產業鏈。推出基于高精度數字源表(SMU）的第三代半導體功率器件靜態參數測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實現功率半導體器件靜態參數的高精度、搞效率測量和分析。如果您對普賽斯功率半導體器件靜態參數測試方案和國產化高精度源表感興趣，歡迎隨時聯系我們！詳詢一八一四零六六三四七六；