HCPL100特點和優(yōu)勢：

50~500us的脈沖寬度連續(xù)可調(diào)；

15us的超快上升沿；

同步測量電壓；

單臺蕞大可達1000A輸出；

可極性反轉(zhuǎn)；

0.1%測試精度；詳詢一八一四零六六三四七六；

技術(shù)指標
電流脈寬  50μs~500μs
脈沖電流上升沿時間 典型時間15us
輸出脈沖電流 5 ~1000A量程，精度0.1%FS±1A
輸出負載電壓要求<12V@1000A
DUT電壓測量   2獨立通道
DUT電壓測量   遠端測量，峰值電壓測量（取樣點可配置）
DUT電壓測量   0~0.3V量程，精度0.1%±0.3mV

DUT電壓測量   0~3V量程，精度0.1%±3mV

DUT電壓測量   0~18V量程，精度0.1%±8mV
電流脈沖輸出間隔時間1秒
電流脈沖峰值功率<12kW
支持多設(shè)備并聯(lián)輸出超大電流，如3000A
支持輸出極性反轉(zhuǎn)
觸發(fā)信號 支持trigin及trig out
通訊接口 RS232
輸入電壓 90~264VAC、50/60Hz
輸入功率<750W
尺寸：長516x寬250x高160mm

應(yīng)用領(lǐng)域

肖特基二極管

整流橋堆

IGBT器件

IGBT半橋模塊

IPM模塊

普賽斯儀表磚業(yè)研究和開發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測試的磚業(yè)智能裝備，產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU）的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、搞效率測量和分析。如果您對普賽斯功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)測試方案和國產(chǎn)化高精度源表感興趣，歡迎隨時聯(lián)系我們！詳詢一八一四零六六三四七六；